纳米银膏烧结是一种利用银离子的扩散融合过程,其驱动力是为了降低总表面能和界面能。当银颗粒尺寸较小时,其表面能较高,从而增加了烧结的驱动力。此外,外部施加的压力也可以增强烧结的驱动力。银烧结过程主要分为三个阶段。在初始阶段,表面原子扩散是主要特征,烧结颈是通过颗粒之间的点或面接触形成的。在这个阶段,对于致密化的贡献约为2%。在中间阶段,致密化成为主要特征,这发生在形成单独孔隙之前。在这个阶段,致密化程度可达到约90%。一个阶段是形成单独孔隙后的烧结,小孔隙逐渐消失,大孔隙逐渐变小,形成致密的烧结银结构。纳米银膏焊料在封装大功率LED时,能够减少热膨胀系数不匹配导致的封装失效问题。低温固化纳米银膏生产厂家
纳米银膏在封装行业有广泛的应用,特别是在功率半导体器件的封装中。它可以与锡膏的点胶和印刷工艺兼容,并且工艺温度较低,连接强度较高。经过烧结后,纳米银膏的成分为100%纯银,理论熔点高达961℃。因此,它可以替代现有的高铅焊料应用,并且具有出色的导热性能,适用于SIC、IGBT、LED、射频等功率元器件的封装。在功率半导体器件封装中,纳米银膏的低温烧结、高温使用、高导热性、导电性、高粘接强度和高可靠性等优势,使其在功率电子器件封装领域具有广阔的应用前景。浙江高性价比纳米银膏封装材料纳米银膏的热导率比传统软钎焊料高出约5倍,可以更有效地降低有源区温度,提高器件的稳定性和使用寿命。
纳米银膏在光耦器件中的应用范围越来越广。相对于传统的有机银焊料,纳米银膏具有更高的导热性和导电性能,能够长期保持低电阻和高粘接强度,提高器件的可靠性。这些优势使得纳米银膏能够提高光耦器件的工作效率和稳定性,延长其使用寿命。此外,纳米银膏还具有更好的附着力和润湿性,能够更好地与基板材料结合,减少焊接过程中的缺陷和空洞。同时,纳米银膏的热膨胀系数较低,可以有效降低光耦器件在固化/烧结过程中的应力集中现象,提高其可靠性。总之,纳米银膏在光耦器件中具有巨大的潜力和优势,有望成为未来光耦器件制造中的重要材料之一。
随着电子科学技术的迅猛发展,电子元器件正朝着高功率和小型化的方向发展。在封装领域,随着功率半导体的兴起,特别是第三代半导体材料如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的出现,功率器件具备了高击穿电压、高饱和载流子迁移率、高热稳定性、高热导率和适应高温环境的特点。因此,对封装材料提出了低温连接、高温工作、优异的热疲劳抗性以及高导电和导热性的要求。 纳米银膏是一种创新的封装材料,它采用了纳米级银颗粒或混合了纳米级和微米级银颗粒,同时添加了有机成分。纳米银膏内部的银颗粒粒径较小,使得烧结过程不需要经过液相线,烧结温度较低(约240℃),同时具有高导热率(大于220W)和高粘接强度(大于70MPa)。纳米银膏适用于SiC、GaN等第三代半导体功率器件、大功率激光器、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件、电网逆变转换器、新能源汽车电源模块、半导体集成电路、光电器件以及其他需要高导热和高导电性能的领域。 纳米银膏的出现将为行业带来革新,推动电子封装技术的发展。纳米银膏因其低电阻、高导电率,能够提高半导体激光器的电信号传输效率和稳定性。
纳米银膏中银颗粒的尺寸和形状对互连质量有着重要的影响。银颗粒是银烧结焊膏的主要成分,其粒径和不同粒径的配比会影响烧结后的互连层性能。使用微米尺寸的银颗粒进行烧结接头需要较高的温度和时间才能获得良好的剪切强度。然而,过高的烧结温度和时间可能会导致芯片损坏。相比之下,纳米尺寸的银颗粒可以在较低的温度条件下实现大面积的键合。 将纳米银颗粒和微米银或亚微米银颗粒混合的复合焊膏具有明显的工艺优势和优异的性能。这种复合焊膏能够进一步应用于下一代功率器件的互连,为其提供更高的可靠性和性能。纳米银膏的高导热性能确保了半导体激光器的散热效果,从而延长了器件的使用寿命。湖北高性价比纳米银膏定制
纳米银膏可适配锡膏的工艺和设备。低温固化纳米银膏生产厂家
纳米银膏是一种高性能的封装材料,广泛应用于功率半导体器件。根据配方的不同,纳米银膏可分为有压银膏和无压银膏。下面介绍有压纳米银膏的施工工艺: 1. 清洗:施工前需要清洗器件表面,确保器件干净。 2. 印刷/点胶:根据工艺要求,将纳米银膏均匀涂覆在基板表面,可以使用丝网印刷或点胶的方式。 3. 预烘:将涂覆好的基板放入箱式烘箱或烤箱内进行预烘,根据工艺要求设置好温度和时间等参数。 4. 贴片:将预烘好的基板放入贴片机进行贴片,根据工艺要求设置好贴片压力、温度和时间。 5. 烧结:将贴好片的器件放入烧结机内进行热压烧结,根据工艺要求设置好烧结机压力、温度和时间。有压纳米银膏在烧结过程中施加了一定的压力和温度,使其烧结后几乎无空洞,拥有更高的致密度,从而具有更高的导热导电性能和粘接强度。因此,它非常适合用于SiC、GaN器件/模块的封装。低温固化纳米银膏生产厂家